抗压强度/MPa≥20
干缩率/%≤0.10
抗折强度/MPa≥10.0
界面弯拉强度≥2.0
粘结强度/MPa≥2.0
粒度200
型号200
货号2466
珍珠岩抛光磨料17.2简介：珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩，SiO2含量高，**过65％，一般为65％一78％。碱质（K2O十Na2O）含量较高，约为7％一8％。珍珠岩中含水量一般为2％一6％，水是在岩浆快速冷凝时，其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色，玻璃光泽，一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的，是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】17.3产品流程：珍珠岩抛光磨料：珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程，即可成为抛光磨料。17.4产品分类：目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。17.5产品特征：该产泽呈灰白色至白色，莫氏硬度5.7，粒径分布0.8μm～80μm，其中产品型号以中心粒径划分，如120目产品，其17＋或－1μm粒径不少于50％。
超声复合磨料振动抛光方法对工件表面材料去除量与工件表面粗糙度的影响,分析了超声复合磨料振动抛光方法;并利用ANSYS Workbench软件分别分析了超声振动条件下和超声复合磨料振动条件下工件表面结构与应力变化情况,同时在超声复合磨料振动条件下通过实验验证超声复合磨料振动抛光技术对工件表面材料去除量与工件表面粗糙度的影响程度。结果表明:超声复合磨料振动条件下工件表面位移小于超声振动条件下的工件表面位移,超声复合磨料振动条件下工件表面应力大于超声振动条件下的工件表面应力;在超声复合磨料振动条件下,影响工件表面粗糙度显著的因素是磨料质量分数,影响工件表面材料去除量显著的因素是抛光时间,且磨料质量分数为30%、抛光时间为4 h时,抛光效果。
为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度Ra=0.4 nm.Ce O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR.
采用不同粒径的W28和W7碳化硼（B4C）磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大（Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm）,表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小（Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm）,无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。
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