抗压强度/MPa≥20
干缩率/%≤0.10
抗折强度/MPa≥10.0
界面弯拉强度≥2.0
粘结强度/MPa≥2.0
粒度200
型号200
货号2466
聚焦超声换能器的使用特点,提出了一种新型磨料流抛光加工方法,即采用凹球壳聚焦超声振动的方式在抛光液中产生聚焦磨料流抛光光学材料。先对聚焦超声振动换能器的声压场进行了测量,了声压场具有显著的聚焦特性,其中声压的值出现在焦距90 mm处;然后设计实验,利用该装备对碳化硅试件进行了抛光。结果表明:这一方法可以对光学材料进行抛光处理,不仅可以降低表面粗糙度和提高表面质量,而且系统结构比传统的磨料水射流抛光系统更加简单,没有管路、喷嘴损耗等。
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珍珠岩抛光磨料17.2简介:珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩,SiO2含量高,**过65%,一般为65%一78%。碱质(K2O十Na2O)含量较高,约为7%一8%。珍珠岩中含水量一般为2%一6%,水是在岩浆快速冷凝时,其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色,玻璃光泽,一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的,是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】17.3产品流程:珍珠岩抛光磨料:珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程,即可成为抛光磨料。17.4产品分类:目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。17.5产品特征:该产泽呈灰白色至白色,莫氏硬度5.7,粒径分布0.8μm~80μm,其中产品型号以中心粒径划分,如120目产品,其17+或-1μm粒径不少于50%。
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采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。
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蓝宝石具有高硬度(莫氏硬度9)、优异的耐腐蚀性以及良好的光学和机械性能,因此广泛应用于固态激光器,精密抗摩擦轴承,红外窗口,半导体芯片基板等高科技领域。随着科技迅猛的发展,对蓝宝石表面平整度要求越来越高,而化学机械抛光(CMP)是目前普遍的表面加工技术,是公认的可以实现全局平坦化抛光方法,所以用化学机械抛光对蓝宝石表面的**精密抛光成为研究的热点。在CMP中,抛光浆料和抛光磨料扮演着重要角色,对蓝宝石的抛光质量有直接的影响。本文研究了将氧化铝磨料分散于硅溶胶中获得了稳定性及抛光性能均较好的抛光浆料。采用均相沉淀法制备出粒径分别为320nm、500nm、1.0μm左右的球形氧化铝磨料,采用直接沉淀法制备出粒径320nm的不规则形貌的氧化铝磨料,并将不同粒径、形貌的氧化铝对蓝宝石进行抛光,得出粒径为1.0μm的球形氧化铝具有较佳的抛光效果。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对样品的形貌、物象等进行表征。通过Zeta电位对抛光浆料的分散稳定性进行检测,通过原子力显微镜(AFM)对蓝宝石抛光前后的表面粗糙度进行检测。主要结果如下:将氧化铝磨料分散在硅溶胶中,体系的稳定
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